Tranzistory, Strana 2
Nejprodávanější
Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 10A v pouzdru D2PAK
Tranzistor IGBT s max. napětím 600V a proudem 55A v pouzdru TO247.
Tranzistor NPN s maximálním napětím 200V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce Sanyo
Tranzistor KF517 od výrobce Tesla s maximálním napětím 30V a proudem 0,6A v pouzdru TO39
Tranzistor KC147 od výrobce Tesla s maximálním napětím 45V a proudem 0,1A v pouzdru T28
Tranzistor N-MOSFET s napětím 650V a proudem 68A v pouzdru TO247 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IXGR40N60C2 bez ochranné diody s maximálním napětím 600V a proudem 75A v pouzdru TO247 PLUS
Tranzistor IGBT IKW15N120H3 s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247.
Tranzistor IGBT IHW30N160R2 (H30R1602) s maximálním napětím 1600V a proudem 30A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor IGBT 600V/70A 290W v pouzdře TO247-3 od výrobce Fairchild
Tranzistor IGBT K40T1202 s maximálním napětím 1200V a proudem 75A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Bipolární tranzistor PNP; UCE 120V; IC 30A; výkon 200W; pouzdro TO3.
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 80A v pouzdru Super-247
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 650V a proudem 17,5A v pouzdru TO220FP od výrobce Infineon
