Infineon Technologies
Tranzistor IHW15N120R3 (H15R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 10A v pouzdru D2PAK
Tranzistor IRFR5305TRPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 43A v pouzdru D-PAK
Intagrovaný polomůstek pro high-/low-side switch s max. napětím 600V
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 86A v pouzdru DPAK
Tranzistor IHW20N120R3 (H20R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 40A v pouzdru TO247
Usměrňovací rychlá dioda s maximálním napětím 600V a proudem 30A
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 20,7A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 300V a proudem 70A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Lineární stabilizátor napětí LDO s pevným výstupním napětím 5V a výstupním proudem až 0,6A v pouzdru TO-263-5 pro povrchovou montáž (SMD)
Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 42A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 30A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Stránka 1 z 4 - 107 položek celkem