Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 400V a proudem 10A v pouzdru D2PAK od výrobce Vishay
Tranzistor KD3773 od výrobce Tesla s maximálním napětím 140V a proudem 16A v pouzdru TO3
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 40V a proudem 172A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon
Integrovaný obvod; tranzistorové pole (driver); darlington; 50V; 500mA; 7 kanálů; DIP16; THT.
Taktovací frekvence: 16MHz Pracovní napětí: 1.8 až 5.5V Rozhraní: SPI, USART, USI Pouzdro: MLF64
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 31A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Taktovací frekvence: 8MHz Pracovní napětí: 1.8 až 5.5V Rozhraní: SPI, USART, USI Pouzdro: TQFP100
Výkonový obvod impulzního zdroje s topologií flyback od výrobce Power Integrations
Infineon IR2101STRPBF high a low side driver
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 100V a proudem 17A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Integrovaný obvod - PWM kontrolér pro DC/DC měnič v pouzdru DIP8 od výrobce Chip-Rail
Integrovaný obvod; číslicový; CMOS; 3× 2-kanálový analogový multiplexor/demultiplexor; DIP16; THT.
Paměť EPROM od výrobce Atmel (Microchip) s kapacitou 128kB v pouzdru PLCC32
Taktovací frekvence: 8MHz Pracovní napětí: 2.7 až 5.5V Rozhraní: TWI, SPI, UART, USI Pouzdro: SO20
Infineon IR2011SPBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 200V
Taktovací frekvence: 16MHz Pracovní napětí: 2.7 až 5.5V Rozhraní: SPI, UART, USI Pouzdro: TQFP100
Nastavení