Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 14A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Driver TOP242PN pro spínaný stabilizátor s interním tranzistorem
High a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V a proudem 0,42A
Infineon IR2011PBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 200V
Infineon IRS21867STRPBF
Lineární stabilizátor napětí s nastavitelným výstupním napětím 2÷37V a výstupním proudem až 0,15A v pouzdru DIP14 s drátovými vývody do DPS
Intagrovaný polomůstek pro high-/low-side switch s max. napětím 600V
Paměť EPROM od výrobce Atmel (Microchip) s kapacitou 64kB v pouzdru PLCC32
Schottkyho dioda 1N5817 s maximálním napětím 20V
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Usměrňovací dioda Urrm: 150V If: 0.2A Pouzdro: SOT23
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Usměrňovací dioda P600M s maximálním napětím 1000V
Obvod pro generování melodie "For Alice" v TO92 pouzdru
Tranzistor IRFP4110PBF od výrobce Infineon Technologies s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO247AC
Paměť EPROM od výrobce Atmel (Microchip) s kapacitou 128kB v pouzdru PLCC32
Integrovaný H-můstek LMD18200T pro řízení motorů v pouzdře SIL11
Proudový operační zesilovač se 2 kanály v pouzdře SO14 od výrobce Texas Instruments
Nastavení