Aktivní součástky (polovodiče), Strana 28

Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 60V, proudem 50A a výkonem 110W v pouzdru TO220

Bipolární tranzistor PNP; U_CE 45V; I_C 100mA; výkon 0,5W; pouzdro TO92.

Tranzistor BSS123 v pouzdru SOT23 s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A 

Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 650V, proudem 34A a výkonem 40W v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics

4x 2-vstupové hradlo XOR řady HC v pouzdru SO14 od výrobce Texas Instruments

Dohlížecí obvod pro hlídání napájecího napětí s nom. hodnotou 4,5V v SOT23 pouzdru

Transil Unipolární (jednosměrný) Ubr: 6.8V Výkon P: 1500W Pouzdro: DO201

Triak s maximálním napětím 700V a proudem 16A v pouzdru TO220AB od výrobce STMicroelectronics

Tranzistor NPN s maximálním napětím 160V a proudem 16A v pouzdru TO3 od výrobce ONSEMI

Operační zesilovač s 2 kanály v pouzdře SO8 od výrobce Texas Instruments

Taktovací frekvence: 24MHz Pracovní napětí: 2.7 až 5.5V Rozhraní: SPI, UART Pouzdro: DIP40

Lineární stabilizátor napětí s pevným výstupním napětím 12V a výstupním proudem až 1A v pouzdru TO3 v kovovém pouzdře

Bipolární tranzistor PNP; U_CE 120V; I_C 30A; výkon 200W; pouzdro TO3.

Zenerova dioda 1.3W Napětí Uz: 22V Tolerance: 5% Pouzdro: DO41

Integrovaný obvod: posuvný registr
Technologie: CMOS, řada CD4000
Pouzdro: DIP16

Lineární stabilizátor napětí s pevným výstupním napětím 5V a výstupním proudem až 0,1A v pouzdru SOT89 pro povrchovou montáž (SMD)

Zenerova dioda s napětím 62V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 100V a proudem 17A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Číslicový integrovaný obvod 4068 1x 8-vstupé hradlo AND/NAND v SO14 pouzdru

Ochranný dvousměrný transil 1.5KE440CA s napětím 440V vhodný pro ochranu obvodů