Aktivní součástky (polovodiče), Strana 32
Nejprodávanější
Dohlížecí obvod pro hlídání napájecího napětí s nom. hodnotou 4,5V v SOT23 pouzdru
Bipolární tranzistor PNP; UCE 45V; IC 100mA; výkon 0,5W; pouzdro TO92.
Tranzistor S9013-H od výrobce Yangzhou Yangjie Electronic Technology s maximálním napětím 25V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 80A a výkonem 300W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics
Jednofázový usměrňovací můstek s maximálním proudem až 4A do DPS
Dvojitý driver DS8922AN pro zajištění komunikace pomocí standardu RS-422
FRAM paměť s rozhraním SPI od výrobce Cypress Semiconductor
Infineon IR2011PBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 200V
Infineon IR2011SPBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 200V
High a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V a proudem 0,42A
High a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V a proudem 0,42A
Intagrovaný polomůstek pro high-/low-side switch s max. napětím 600V
Integrovaný obvod IXYS IX2113B pro řízení H/2 můstku (high a low side N-MOSFET) s max. napětím 600V
Výkonový obvod impulzního zdroje s topologií buck od výrobce STMicroelectronics
Operační zesilovač; 1,8MHz; 3÷16VDC; DIP14; THT.
Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 30A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 650V a proudem 12A v pouzdru TO220SIS od výrobce Thomson
Integrovaný obvod U211B3 pro řízení motorů v pouzdře SO16
Driver pro displeje; společná anoda; DIP18; THT.
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 400V a proudem 23A v pouzdru TO247AC od výrobce Vishay
