Texas Instruments TPS5430DDAR DC/DC měnič
Texas Instruments L293DNE H-můstek
Tranzistor IKW15N120H3 od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IKQ100N60T s maximálním napětím 600V a proudem 160A v pouzdru TO247 PLUS
Tranzistor IGBT K40T1202 s maximálním napětím 1200V a proudem 75A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor IHW20N120R3 (H20R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 40A v pouzdru TO247
Tranzistor IHW15N120R3 (H15R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247.
Lineární stabilizátor napětí s pevným výstupním napětím 5V a výstupním proudem až 1,5A v pouzdru TO220 s montáží do DPS (THT)
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 30A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Taktovací frekvence: 10MHz Pracovní napětí: 1.8 až 5.5V Rozhraní: USI Pouzdro: DIP8
Sada 170 kusů různých bipolárních tranzistorů v pouzdru TO92
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 650V a proudem 12A v pouzdru TO220SIS od výrobce Thomson
Tranzistor BF545B od výrobce NXP s maximálním napětím 30V a proudem 0,015A v pouzdru SOT23
Integrovaný H-můstek pro řízení motorů v pouzdře HSOP8
Tranzistor P-MOSFET dvojitý s napětím 30V, proudem 4,9A a výkonem 2W v pouzdru SO8 od výrobce Infineon
Tranzistor IRFR5305TRPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK
Infineon IR2106PBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V
NF zesilovač; 8÷18V; 10W; -40÷150°C; TO220-5 (Pentawatt); THT.
Filtr číslicový; dolní propust; filtr 5. řádu; DIP8; THT.
Nastavení
