Integrované obvody
-
Audio zesilovače
-
Operační zesilovače, komparátory
-
Stabilizátory napětí
-
Drivery
-
Logické obvody
-
Mikrokontroléry a mikroprocesory
-
Filtrační obvody
-
Obvody rozhraní
-
Paměti
-
Převodníky
-
Specializované obvody
-
Ostatní nezařazené IO
Nejprodávanější
Tranzistorové pole ULN2004D1013TR s maximálním napětím 50V a proudem 0,5A
Integrovaný obvod; tranzistorové pole (driver); darlington; 50V; 500mA; 7 kanálů; DIP16; THT.
Tranzistorové pole ULN2003 s maximálním napětím 50V a proudem 0,5A
Integrovaný obvod U211B pro řízení motorů v pouzdře DIP18
Integrovaný obvod BD62105AFVM s integrovaným H-můstek včetně řízení
Tranzistorové pole ULN2803 s maximálním napětím 50V a proudem 0,5A
Tranzistorové pole ULN2069B s maximálním napětím 80V a proudem 1,5A
Infineon IR2011PBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 200V
Infineon IR2011SPBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 200V
High a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V a proudem 0,42A
High a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V a proudem 0,42A
Intagrovaný polomůstek pro high-/low-side switch s max. napětím 600V
Integrovaný obvod IXYS IX2113B pro řízení H/2 můstku (high a low side N-MOSFET) s max. napětím 600V
Integrovaný obvod U211B3 pro řízení motorů v pouzdře SO16
IXYS IX2113G high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V
Integrovaný obvod IXYS IX4340UE pro řízení dvou low-side N-MOSFET s max. proudem 5A
Tranzistorové pole ULN2004AN s maximálním napětím 50V a proudem 0,5A
Integrovaný H-můstek pro řízení krokového motoru v pouzdře HTSSOP28
Integrovaný obvod IRS2103SPBF pro řízení H/2 můstku (push-pull)
Integrovaný obvod NCP5181DR2G pro řízení H/2 můstku (push-pull) v pouzdru SO8
Dvojitý low side N-MOSFET driver s max. napětím 35V od výrobce IXYS
Tranzistorové pole ULN2803 s maximálním napětím 50V a proudem 0,5A
