Drivery
Nejprodávanější
H-můstek pro řízení motorů, max. 48V/4A, pouzdro MULTIWATT.
Tranzistorové pole ULN2004D1013TR s maximálním napětím 50V a proudem 0,5A
Integrovaný obvod; tranzistorové pole (driver); darlington; 50V; 500mA; 7 kanálů; DIP16; THT.
Tranzistorové pole ULN2003 s maximálním napětím 50V a proudem 0,5A
Řídící obvod pro PWM modulaci s frekvencí 100Hz až 500kHz a dvěmi výkonovými push-pull výstupy
Integrovaný obvod U211B pro řízení motorů v pouzdře DIP18
Nastavitelný LED driver v pouzdru SSO10 pro síťová 230V LED světla
Integrovaný obvod BD62105AFVM s integrovaným H-můstek včetně řízení
Tranzistorové pole TCA871 od výrobce Siemens s maximálním napětím 32V a proudem 0,2A v pouzdru DIP14
Řídící obvod pro PWM modulaci s frekvencí až 1MHz a H-můstkovým výstupem
Integrovaný obvod pro výkonné spínané zdroje; MOSFET + kontrolér; DIP8; THT.
Tranzistorové pole ULN2803 s maximálním napětím 50V a proudem 0,5A
Tranzistorové pole ULN2069B s maximálním napětím 80V a proudem 1,5A
Dvojitý driver DS8922AN pro zajištění komunikace pomocí standardu RS-422
Infineon IR2011PBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 200V
Infineon IR2011SPBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 200V
High a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V a proudem 0,42A
High a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V a proudem 0,42A
Intagrovaný polomůstek pro high-/low-side switch s max. napětím 600V
Integrovaný obvod IXYS IX2113B pro řízení H/2 můstku (high a low side N-MOSFET) s max. napětím 600V
Integrovaný obvod U211B3 pro řízení motorů v pouzdře SO16
Driver pro displeje; společná anoda; DIP18; THT.
IXYS IX2113G high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V