Pokud si nevíte rady s výběrem, neváhejte nás kontaktovat. Naši specialisté vám poradí.
Integrovaný H-můstek pro řízení krokového motoru v pouzdře HTSSOP28
Diodes Incorporated AP2161WG-7 high-side switch
Diodes Incorporated AP2552AW6-7 high-side switch
Infineon IRS21867STRPBF
Texas Instruments L293DNE H-můstek
Infineon IR2011PBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 200V
Infineon IR2011SPBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 200V
Infineon IR2101STRPBF high a low side driver
Infineon IR2102SPBF high a low side driver
High a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V a proudem 0,42A
Integrovaný obvod IXYS IX2113B pro řízení H/2 můstku (high a low side N-MOSFET) s max. napětím 600V
Integrovaný obvod IXYS IX4340UE pro řízení dvou low-side N-MOSFET s max. proudem 5A
Dvojitý low side N-MOSFET driver s max. napětím 35V od výrobce IXYS
H-můstek pro řízení motorů, max. 48V/4A, pouzdro MULTIWATT.
Driver pro displeje; napájecí napětí 1,2÷1,34V; 30mA; 10 kanálů; DIP18; THT.
Integrovaný H-můstek LMD18200T pro řízení motorů v pouzdře SIL11
Integrovaný obvod pro výkonné spínané zdroje; MOSFET + kontrolér; DIP8; THT.
Driver; budič MOSFET; 1,2A; 2 kanály; neinvertující; DIP8; THT.
Integrovaný obvod U211B pro řízení motorů v pouzdře DIP18
Integrovaný obvod U211B3 pro řízení motorů v pouzdře SO16
Řídící obvod pro PWM modulaci s frekvencí až 1MHz a H-můstkovým výstupem
Tranzistorové pole ULN2003 s maximálním napětím 50V a proudem 0,5A
Tranzistorové pole ULN2004AN s maximálním napětím 50V a proudem 0,5A
Nastavení