Tranzistor 2SJ200 TO3PN
Kód: 101040570Vlastní sklad
Více než 10 000 položek na vlastním skladě ihned připraveno k odeslání.
Související produkty
Detailní popis produktu
Toshiba 2SJ200
Tranzistor P-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 180V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 10A; max. ztrátový výkon 120W; pouzdro TO3PN; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Tranzistor vhodný pro speciální koncové stupně.
Tranzistor komplementární s 2SK1529.