Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 60V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 0,33A; max. ztrátový výkon 0,402W; odpor v sepnutém stavu 2,1Ω; pouzdro SOT23; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -65÷150°C.
Používáme cookies, abychom Vám umožnili pohodlné prohlížení webu a díky analýze provozu webu neustále zlepšovali jeho funkce, výkon a použitelnost. Více informací zde.