Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 600V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 0,12A; max. ztrátový výkon 1,8W; odpor v sepnutém stavu 45Ω; pouzdro SOT223; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Používáme cookies, abychom Vám umožnili pohodlné prohlížení webu a díky analýze provozu webu neustále zlepšovali jeho funkce, výkon a použitelnost. Více informací zde.