Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 100V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 0,19A; max. ztrátový výkon 0,5W; odpor v sepnutém stavu 6Ω; pouzdro SOT23; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A v pouzdru SOT23 od výrobce Diodes Incorporated
Kód: 101040582
Používáme cookies, abychom Vám umožnili pohodlné prohlížení webu a díky analýze provozu webu neustále zlepšovali jeho funkce, výkon a použitelnost. Více informací zde.