Tranzistor FDS8958B SO8

Vlastní sklad
Více než 10 000 položek na vlastním skladě ihned připraveno k odeslání.
Detailní popis produktu
ON Semiconductor FDS8958B
Tranzistor N&P-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 30V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 6,4 + 4,5A; max. ztrátový výkon 2W; odpor v sepnutém stavu 0,039 + 0,08Ω; náboj hradla 8,3 + 12nC; pouzdro SO8; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Parametry produktu:
Pracovní napětí (V): | 30 |
---|---|
Pracovní proud (A): | 6,4 + 4,5A |
Výkon (W): | 2 |
Pouzdro: | SO8 |
Montáž: | SMD |
max. napětí Gate (V): | ±20 |