Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 200V; max. napětí Gate-Source ±30V; max. proud Drainu 15A; max. ztrátový výkon 83W; odpor v sepnutém stavu 0,14Ω; pouzdro DPAK; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Používáme cookies, abychom Vám umožnili pohodlné prohlížení webu a díky analýze provozu webu neustále zlepšovali jeho funkce, výkon a použitelnost. Více informací zde.