Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 10A v pouzdru D2PAK
Detailní informace
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 600V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 10A; max. ztrátový výkon 110W; pouzdro D2PAK; SMD montáž do DPS; pracovní teplota -40÷175°C.
Nastavení