Tranzistor IPB100N06S2L05ATMA2 D2PAK
Kód: 101040587Vlastní sklad
Více než 10 000 položek na vlastním skladě ihned připraveno k odeslání.
Detailní popis produktu
Infineon (IRF) IPB100N06S2L05ATMA2
Tranzistor N-MOSFET; OptiMOS; unipolární; max. napětí Drain-Source 55V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 100A; max. ztrátový výkon 300W; odpor v sepnutém stavu 0,0044Ω; max. náboj hradla 230nC; pouzdro D2PAK; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Výhody
- Certifikace pro automobilový průmysl AEC Q101
- Velmi vysoký proud až 100A
- Velmi nízký odpor v sepnutém stavu