ZMĚNA REŽIMU PROVOZOVNY V LIBERCI: Pouze výdej objednávek z e-shopu. Přímý prodej na provozovně není možný! Děkujeme za pochopení.

Tranzistor IPD031N06L3 DPAK

Kód: 101040524
125 Kč / ks 103,30 Kč bez DPH
Skladem (1147 ks)

Tranzistor N-MOSFET IPD031N06L3 s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon

Detailní informace

Detailní popis produktu

Infineon (IRF) IPD031N06L3

Tranzistor N-MOSFET; OptiMOS; unipolární; max. napětí Drain-Source 60V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 100A; max. ztrátový výkon 167W; odpor v sepnutém stavu 0,0031Ω; max. náboj hradla 79nC; pouzdro DPAK; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷175°C.

Výhody

  • Nízký odpor v sepnutém stavu
  • Rychlý
  • Vysoká maximální teplota 175°C

Doplňkové parametry

Kategorie: Unipolární tranzistory N-kanál
Pracovní napětí (V): 60
Pracovní proud (A): 100
Výkon (W): 167
Pouzdro: DPAK, TO252
Montáž: SMD
max. napětí Gate (V): ±20