Tranzistor IPD034N06N3GATMA1 DPAK
Kód: 101040034Vlastní sklad
Více než 10 000 položek na vlastním skladě ihned připraveno k odeslání.
Detailní popis produktu
Infineon (IRF) IPD034N06N3GATMA1
Tranzistor N-MOSFET; OptiMOS; unipolární; max. napětí Drain-Source 60V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 100A; max. ztrátový výkon 167W; odpor v sepnutém stavu 0,0034Ω; max. náboj hradla 98nC; pouzdro DPAK; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Výhody
- Nízký odpor v sepnutém stavu
- Rychlý
- Vysoká maximální teplota 175°C