Tranzistor IRF5210PBF TO220AB
Kód: 101040505
Vlastní sklad
Více než 10 000 položek na vlastním skladě ihned připraveno k odeslání.
Detailní popis produktu
Infineon (IRF) IRF5210PBF
Tranzistor P-MOSFET; HEXFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 100V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 40A; max. ztrátový výkon 200W; odpor v sepnutém stavu 0,06Ω; max. náboj hradla 180nC; pouzdro TO220AB; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷175°C.