Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 100V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 10A; max. ztrátový výkon 8W; odpor v sepnutém stavu 0,16Ω; max. náboj hradla 26nC; pouzdro TO220AB; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 100V a proudem 17A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Kód: 101040573
Používáme cookies, abychom Vám umožnili pohodlné prohlížení webu a díky analýze provozu webu neustále zlepšovali jeho funkce, výkon a použitelnost. Více informací zde.