Tranzistor IRF7103PBF SO8
Kód produktu: 101040119
Tranzistor IRF7103PBF SO8
Loading...

Tranzistor IRF7103PBF SO8

Kód produktu: 101040119
Tranzistor IRF7103PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 50V a proudem 2x 3A v pouzdru SO8

Detailní informace

Externí sklad: 4388 ks
15 Kč / ks 12,40 Kč bez DPH

Detailní popis produktu

Infineon Technologies IRF7103PBF

Tranzistor N-MOSFET; HEXFET; dvojitý; unipolární; max. napětí Drain-Source 50V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 2x 3A; max. ztrátový výkon 2W; odpor v sepnutém stavu 0,13Ω; max. náboj hradla 12nC; pouzdro SO8; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.

Parametry produktu:

Pracovní napětí (V): 50
Pracovní proud (A): 2x 3
Výkon (W): 2
Pouzdro: SO8
Montáž: SMD
max. napětí Gate (V): ±20
Produkt naleznete v této kategorii
Unipolární tranzistory N-kanál