Tranzistor IRF7103PBF SO8
Kód: 101040119Vlastní sklad
Více než 10 000 položek na vlastním skladě ihned připraveno k odeslání.
Detailní popis produktu
Infineon Technologies IRF7103PBF
Tranzistor N-MOSFET; HEXFET; dvojitý; unipolární; max. napětí Drain-Source 50V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 2x 3A; max. ztrátový výkon 2W; odpor v sepnutém stavu 0,13Ω; max. náboj hradla 12nC; pouzdro SO8; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.