Tranzistor P-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 32V; max. napětí Gate-Source -40V; max. proud Drainu 0,05A; max. ztrátový výkon 0,2W; pouzdro TO72; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷125°C.
Používáme cookies, abychom Vám umožnili pohodlné prohlížení webu a díky analýze provozu webu neustále zlepšovali jeho funkce, výkon a použitelnost. Více informací zde.