Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 60V; max. napětí Gate-Source ±15V; max. proud Drainu 24A; max. ztrátový výkon 62,5W; odpor v sepnutém stavu 0,036Ω; pouzdro DPAK; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Používáme cookies, abychom Vám umožnili pohodlné prohlížení webu a díky analýze provozu webu neustále zlepšovali jeho funkce, výkon a použitelnost. Více informací zde.