Tranzistor P-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 30V; max. napětí Gate-Source ±12V; max. proud Drainu 6A; max. ztrátový výkon 1W; odpor v sepnutém stavu 0,144Ω; max. náboj hradla 8,2nC; pouzdro SOT23F; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Používáme cookies, abychom Vám umožnili pohodlné prohlížení webu a díky analýze provozu webu neustále zlepšovali jeho funkce, výkon a použitelnost. Více informací zde.