Tranzistor IGBT s napětím do 1200V a proudem do 25A v pouzdru TO3P.
Tranzistor IGBT 600V/70A 290W v pouzdře TO247-3 od výrobce ONSEMI.
Tranzistor KF517 od výrobce Tesla s maximálním napětím 30V a proudem 0,6A v pouzdru TO39
Sada 300 kusů různých bipolárních tranzistorů v pouzdru TO92
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 30V a proudem 5,7A v pouzdru SOT23 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor 2N6284G od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 100V a proudem 20A v pouzdru TO3
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 60V, proudem 50A a výkonem 110W v pouzdru TO220
Bipolární tranzistor NPN v pouzdře TO92Napětí kolektor-emitor: 45VProud kolektoru: 0,1A
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 20A v pouzdru TO220 od IXYS
Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247.
Tranzistor 2SC1735 s maximálním napětím 100V a proudem 0,5A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 130A v pouzdru TO220-3 od výrobce IXYS
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 86A v pouzdru DPAK
Tranzistor PNP s maximálním napětím 230V a proudem 1A v pouzdru TO220
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V, proudem 98A a výkonem 150W v pouzdru TO220.
Tranzistor TK8P60W,RVQ od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 8A v pouzdru DPAK
Nastavení
