Tranzistor IGBT s max. napětím 600V a proudem 55A v pouzdru TO247.
Tranzistor IGBT IHW30N160R2 (H30R1602) s maximálním napětím 1600V a proudem 30A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 60A v pouzdru TO247.
Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 30V a proudem 5,7A v pouzdru SOT23 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor KC147 od výrobce Tesla s maximálním napětím 45V a proudem 0,1A v pouzdru T28
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 32A v pouzdru TO220 od Infineon
Tranzistor 2SC1735 s maximálním napětím 100V a proudem 0,5A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s napětím 40V, proudem 250A a výkonem 230W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor KD606 od výrobce Tesla s maximálním napětím 60V a proudem 10A v pouzdru TO3
Tranzistor N-MOSFET 2SK3567 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 3,5A v pouzdru TO220FP
Tranzistor TK8P60W,RVQ od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 8A v pouzdru DPAK
Tranzistor TIP3055 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 60V a proudem 15A v pouzdru TO247
Tranzistor N-MOSFET s napětím 650V a proudem 68A v pouzdru TO247 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 86A v pouzdru DPAK
Tranzistor P-MOSFET IRF5210PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 100V a proudem 40A v pouzdru TO220AB
Nastavení
