Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247.
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 130A v pouzdru TO220-3 od výrobce IXYS
Tranzistor IHW20N120R3 (H20R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 40A v pouzdru TO247
Tranzistor STP75NF75 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 75V a proudem 80A v pouzdru TO220
Tranzistor NPN s maximálním napětím 50V a proudem 150mA v pouzdru TO92 od výrobce Central Semiconductor
Tranzistor IGBT IHW30N160R2 (H30R1602) s maximálním napětím 1600V a proudem 30A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor NPN s maximálním napětím 400V a proudem 8A v pouzdru TO220AB od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IHW15N120R3 (H15R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Bipolární tranzistor PNP; UCE 50V; IC 100mA; výkon 0,5W; pouzdro TO92.
Tranzistor KD3773 od výrobce Tesla s maximálním napětím 140V a proudem 16A v pouzdru TO3
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 32A v pouzdru TO220 od Infineon
Sada 170 kusů různých bipolárních tranzistorů v pouzdru TO92
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 900V a proudem 3A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IGBT IKW15N120H3 s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 60A v pouzdru TO247.
Nastavení