Tranzistor IHW15N120R3 (H15R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IGBT s napětím do 1200V a proudem do 25A v pouzdru TO3P.
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 20A v pouzdru TO220 od IXYS
Tranzistor KD606 od výrobce Tesla s maximálním napětím 60V a proudem 10A v pouzdru TO3
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 86A v pouzdru DPAK
Tranzistor NPN s maximálním napětím 50V a proudem 150mA v pouzdru TO92 od výrobce Central Semiconductor
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247.
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 60V, proudem 50A a výkonem 110W v pouzdru TO220
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 23A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor PNP s maximálním napětím 80V a proudem 10A v pouzdru TO3 od výrobce Tesla
Bipolární tranzistor NPN v pouzdře TO92Napětí kolektor-emitor: 45VProud kolektoru: 0,1A
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 32A v pouzdru TO220 od Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor NPN s maximálním napětím 80V a proudem 10A v pouzdru TO3 od výrobce Tesla
Tranzistor N-MOSFET s napětím 650V a proudem 68A v pouzdru TO247 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor KF517 od výrobce Tesla s maximálním napětím 30V a proudem 0,6A v pouzdru TO39
Nastavení