IGBT tranzistory
Nejprodávanější
Tranzistor IHW15N120R3 (H15R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IHW20N120R3 (H20R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 40A v pouzdru TO247
Tranzistor IGBT s napětím do 1200V a proudem do 25A v pouzdru TO3P.
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 32A v pouzdru TO220 od Infineon
Tranzistor IGBT IHW30N160R2 (H30R1602) s maximálním napětím 1600V a proudem 30A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 60A v pouzdru TO247.
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247.
Tranzistor IGBT IKW15N120H3 s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 80A v pouzdru Super-247
Tranzistor IGBT 600V/70A 290W v pouzdře TO247-3 od výrobce ONSEMI.
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1000V a proudem 60A v pouzdru TO264 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor IXGR40N60C2D1 s maximálním napětím 600V a proudem 75A v pouzdru TO247 PLUS
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 23A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IXGR40N60C2 bez ochranné diody s maximálním napětím 600V a proudem 75A v pouzdru TO247 PLUS
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 14A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IGBT s max. napětím 600V a proudem 55A v pouzdru TO247.
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 20A v pouzdru TO220 od IXYS
