Unipolární tranzistory N-kanál

Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier

Tranzistor STP75NF75 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 75V a proudem 80A v pouzdru TO220

Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V, proudem 98A a výkonem 150W v pouzdru TO220.

Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 60V, proudem 50A a výkonem 110W v pouzdru TO220

Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 650V, proudem 13A a výkonem 110W v pouzdru TO220

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 40V a proudem 172A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 84A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s napětím 40V, proudem 250A a výkonem 230W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s napětím 650V, proudem 13A a výkonem 52W v pouzdru TO-220-3 od výrobce Transphorm

Tranzistor N-MOSFET s napětím Drain-Source do 100V a proudem Drainu do 80A v pouzdru TO220

Tranzistor IXFP220N06T3 od výrobce IXYS s maximálním napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220

Tranzistor IRFB3006PBF od výrobce Infineon Technologies s maximálním napětím 60V a proudem 195A v pouzdru TO220

Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 80A a výkonem 300W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 40V a proudem 202A v pouzdru TO220AB od výrobce Thomson

Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 2A a výkonem 30W v pouzdru TO-220AB od výrobce Hitachi

Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 2A a výkonem 30W v pouzdru TO-220AB od výrobce Hitachi

Tranzistor BUZ78 od výrobce ISC s maximálním napětím 800V a proudem 1,5A v pouzdru TO220

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 20,7A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s napětím 500V, proudem 17A a výkonem 190W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 650V a proudem 12A v pouzdru TO220SIS od výrobce Thomson

Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 175A a výkonem 330W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon