Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 100V a proudem 17A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Tranzistor IRFP4110PBF od výrobce Infineon Technologies s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO247AC
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 42A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
2x tranzistor s maximálním napětím 60V a proudem 2x 4,5A v pouzdru SO8 od výrobce Taiwan Semiconductor
Tranzistor STP34NM60N s maximálním napětím 600V a proudem 31,5A v pouzdru TO220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor BSS123 v pouzdru SOT23 s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A
Tranzistor BF245A s maximálním napětím 30V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 17A v pouzdru IPAK od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 400V a proudem 23A v pouzdru TO247AC od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 175A a výkonem 330W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor BSP125 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 0,12A v pouzdru SOT223
Tranzistor STW11NK100Z od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 1000V a proudem 8,3A v pouzdru TO247
Tranzistor BSS138W od výrobce Infineon s maximálním napětím 60V a proudem 0,28A v pouzdru SOT323
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 2A a výkonem 30W v pouzdru TO-220AB od výrobce Hitachi
Nastavení
