Pokud si nevíte rady s výběrem, neváhejte nás kontaktovat. Naši specialisté vám poradí.
2x tranzistor s maximálním napětím 60V a proudem 2x 4,5A v pouzdru SO8 od výrobce Taiwan Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 150V a proudem 110A v pouzdru D2PAK od výrobce IXYS
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s napětím 40V, proudem 250A a výkonem 230W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 650V, proudem 13A a výkonem 110W v pouzdru TO220
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 130A v pouzdru TO220-3 od výrobce IXYS
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 300V a proudem 70A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 17A v pouzdru IPAK od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor STP60NF06 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 60V a proudem 60A v pouzdru TO220-3
Tranzistor N-MOSFET 2SK3567 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 3,5A v pouzdru TO220FP
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 20A v pouzdru TO247AC od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor s maximálním napětím 20V a proudem 2x 6,5A v pouzdru SO8 od výrobce ONSEMI.
Tranzistor IRF3205SPBF od výrobce International Rectifier s maximálním napětím 55V a proudem 110A v pouzdru D2PAK
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Nastavení