Unipolární tranzistory N-kanál, Strana 2

Tranzistor BSP125 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 0,12A v pouzdru SOT223

Tranzistor NTD24N06LG s maximálním napětím 60V a proudem 24A v pouzdru DPAK

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 295A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 10A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 12,7A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega

Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 6A a výkonem 1,28W v pouzdru TSOP6 od výrobce Alpha & Omega Semiconductor

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A v pouzdru SOT23 od výrobce Diodes Incorporated

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 170A v pouzdru TO263 (D2PAK) od výrobce Texas Instruments

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 100V a proudem 17A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 400V a proudem 10A v pouzdru D2PAK od výrobce Vishay

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 40A v pouzdru TO252AA od výrobce ShinDegen

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 150V a proudem 3,7A v pouzdru SO8 od výrobce Vishay

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 15A v pouzdru DPAK od výrobce Sinopower

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 86A v pouzdru DPAK

Tranzistor TK8P60W,RVQ od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 8A v pouzdru DPAK

Tranzistor BF545B od výrobce NXP s maximálním napětím 30V a proudem 0,015A v pouzdru SOT23