Unipolární tranzistory N-kanál, Strana 5

Tranzistor N-JFET BF256B s maximálním napětím 30V a proudem 0,013A v pouzdru TO92 od výrobce ONSEMI.

Tranzistor STP60NF06 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 60V a proudem 60A v pouzdru TO220-3

Tranzistor BSS123 v pouzdru SOT23 s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A 

Tranzistor NTD24N06LG s maximálním napětím 60V a proudem 24A v pouzdru DPAK

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 15A v pouzdru DPAK od výrobce Sinopower

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A v pouzdru SOT23 od výrobce Diodes Incorporated

Tranzistor IRF3205SPBF od výrobce International Rectifier s maximálním napětím 55V a proudem 110A v pouzdru D2PAK

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 500V a proudem 5A v pouzdru TO252 od výrobce Alpha & Omega

Tranzistor N-JFET MMBFJ310LT1G s maximálním napětím 25V a proudem 0,01A v pouzdru SOT23 od výrobce ON Semiconductor

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 650V a proudem 17,5A v pouzdru TO220FP od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 6A a výkonem 1,28W v pouzdru TSOP6 od výrobce Alpha & Omega Semiconductor

Tranzistor N-MOSFET STP4NK60ZFP s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics

Tranzistor FQD18N20V2TM od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 200V a proudem 15A v pouzdru DPAK

Tranzistor IXFX100N65X2 od výrobce IXYS s maximálním napětím 650V a proudem 100A v pouzdru TO247PLUS

Tranzistor N-MOSFET IPD031N06L3 s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon

Tranzistor STFH13N60M2 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 600V a proudem 11A v pouzdru TO220FP

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 295A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 650V a proudem 12A v pouzdru TO220SIS od výrobce Thomson