Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 84A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 150V a proudem 110A v pouzdru D2PAK od výrobce IXYS
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 31A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 130A v pouzdru TO220-3 od výrobce IXYS
Tranzistor BF245A s maximálním napětím 30V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V, proudem 98A a výkonem 150W v pouzdru TO220.
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET STP4NK60ZFP s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A v pouzdru SOT23 od výrobce Diodes Incorporated
Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier
Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 8,5A a výkonem 2,5W v pouzdru SO8 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s napětím 40V, proudem 250A a výkonem 230W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 23A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor STW11NK100Z od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 1000V a proudem 8,3A v pouzdru TO247
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon
Nastavení
