Unipolární tranzistory, Strana 2

Tranzistor N-JFET s maximálním napětím 35V a proudem 0,05A v pouzdru SOT23 od výrobce ON Semiconductor

Tranzistor BSS123 v pouzdru SOT23 s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A 

Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 8,5A a výkonem 2,5W v pouzdru SO8 od výrobce ON Semiconductor

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V a proudem 100A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor BSS138W od výrobce Infineon s maximálním napětím 60V a proudem 0,28A v pouzdru SOT323

Tranzistor BSP125 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 0,12A v pouzdru SOT223

Tranzistor NTD24N06LG s maximálním napětím 60V a proudem 24A v pouzdru DPAK

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 30V a proudem 18A v pouzdru TO252 od výrobce Alpha & Omega

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 295A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 10A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 12,7A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega

Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 6A a výkonem 1,28W v pouzdru TSOP6 od výrobce Alpha & Omega Semiconductor

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A v pouzdru SOT23 od výrobce Diodes Incorporated

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 170A v pouzdru TO263 (D2PAK) od výrobce Texas Instruments

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 100V a proudem 17A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 400V a proudem 10A v pouzdru D2PAK od výrobce Vishay

Tranzistor IRFR5305TRPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK