Tranzistor IXFP220N06T3 od výrobce IXYS s maximálním napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 400V a proudem 10A v pouzdru D2PAK od výrobce Vishay
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 40V a proudem 202A v pouzdru TO220AB od výrobce Thomson
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 14A v pouzdru WDFN-8 od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 50A v pouzdru DFN5X6A od výrobce Sinopower
Tranzistor s maximálním napětím 20V a proudem 2x 6,5A v pouzdru SO8 od výrobce ONSEMI.
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 20,7A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor BSP125 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 0,12A v pouzdru SOT223
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 40A v pouzdru TO252AA od výrobce ShinDegen
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 300V a proudem 70A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor STP60NF06 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 60V a proudem 60A v pouzdru TO220-3
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Tranzistor P-MOSFET s napětím 30V, proudem 29A a výkonem 7,8W v pouzdru SO8 od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 175A a výkonem 330W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru IPAK od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor FQD18N20V2TM od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 200V a proudem 15A v pouzdru DPAK
Tranzistor NTD24N06LG s maximálním napětím 60V a proudem 24A v pouzdru DPAK
Nastavení
