Unipolární tranzistory, Strana 4
Nejprodávanější
Tranzistor NTD24N06LG s maximálním napětím 60V a proudem 24A v pouzdru DPAK
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 13A v pouzdru TO252 od výrobce Vishay
Tranzistor BSP125 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 0,12A v pouzdru SOT223
Tranzistor IRF3205SPBF od výrobce International Rectifier s maximálním napětím 55V a proudem 110A v pouzdru D2PAK
Tranzistor SI9435BDY-E3 od výrobce Vishay s maximálním napětím 30V a proudem 4,1A v pouzdru SO8
Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 8,5A a výkonem 2,5W v pouzdru SO8 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor BUZ78 od výrobce ISC s maximálním napětím 800V a proudem 1,5A v pouzdru TO220
Tranzistor KF522 od výrobce Tesla s maximálním napětím 32V a proudem 0,05A v pouzdru TO72
Tranzistor s maximálním napětím 20V a proudem 2x 6,5A v pouzdru SO8 od výrobce ONSEMI.
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 31A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 200V a proudem 4A v pouzdru TO220AB od výrobce Vishay
Tranzistor N-JFET s maximálním napětím 35V a proudem 0,05A v pouzdru SOT23 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 500V a proudem 5A v pouzdru TO252 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Tranzistor IRF9640PBF od výrobce Vishay s maximálním napětím 200V a proudem 6,8A v pouzdru TO220AB
Tranzistor BSS138W od výrobce Infineon s maximálním napětím 60V a proudem 0,28A v pouzdru SOT323
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 100V a proudem 17A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon