Unipolární tranzistory, Strana 5

Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 2A a výkonem 30W v pouzdru TO-220AB od výrobce Hitachi

Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 2A a výkonem 30W v pouzdru TO-220AB od výrobce Hitachi

Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 6A a výkonem 1,28W v pouzdru TSOP6 od výrobce Alpha & Omega Semiconductor

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 500V a proudem 5A v pouzdru TO252 od výrobce Alpha & Omega

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon

Tranzistor BSP125 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 0,12A v pouzdru SOT223

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A v pouzdru SOT23 od výrobce Diodes Incorporated

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon

Tranzistor BSS138W od výrobce Infineon s maximálním napětím 60V a proudem 0,28A v pouzdru SOT323

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 170A v pouzdru TO263 (D2PAK) od výrobce Texas Instruments

Tranzistor FQD18N20V2TM od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 200V a proudem 15A v pouzdru DPAK

Tranzistor N-MOSFET IPD031N06L3 s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 40V a proudem 202A v pouzdru TO220AB od výrobce Thomson

Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 175A a výkonem 330W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon

Tranzistor IRFB3006PBF od výrobce Infineon Technologies s maximálním napětím 60V a proudem 195A v pouzdru TO220

Tranzistor P-MOSFET s napětím 250V, proudem 2,6A a výkonem 35W v pouzdru TO220FP od výrobce Vishay

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 20A v pouzdru TO247AC od výrobce Vishay

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 400V a proudem 23A v pouzdru TO247AC od výrobce Vishay

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 300V a proudem 70A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies