Tranzistor TIP3055 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 60V a proudem 15A v pouzdru TO247
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Tranzistor P-MOSFET s napětím 250V, proudem 2,6A a výkonem 35W v pouzdru TO220FP od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET dvojhradlový s maximálním napětím 20V a proudem 0,04A v pouzdru TO-50 od výrobce Tesla
Tranzistor NPN s maximálním napětím 100V a proudem 8A v pouzdru TO3 od výrobce Tesla
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 10A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega
Dvojitý tranzistor N-mosfet + P-mosfet s maximálním napětím 20/-20V a proudem 5,3/-4,5A v pouzdru DFN2020-6 od výrobce Nexperia
Tranzistor 3NU74 od výrobce Tesla s maximálním napětím 32V a proudem 15A v pouzdru TO35
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 300V a proudem 70A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 12,7A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor N-MOSFET IPD031N06L3 s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Dvojitý tranzistor N-mosfet + P-mosfet s maximálním napětím 12/-12V a proudem 5,6/-3,8A v pouzdru U-DFN2020-6 od výrobce Diodes
Tranzistor NPN 2SC2581 s maximálním napětím 140V a proudem 10A v pouzdru TO3PN od výrobce Sanken
Tranzistor 2N3441 od výrobce Motorola s maximálním napětím 140V a proudem 3A v pouzdru TO66
Tranzistor NPN s maximálním napětím 160V a proudem 1,5A v pouzdru TO126 od výrobce ROHM
Sada 100 kusů různých bipolárních tranzistorů v pouzdru TO92 a TO126
Tranzistor KC149 od výrobce Tesla s maximálním napětím 20V a proudem 0,1A v pouzdru K401
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247.
Tranzistor IKW15N120H3 od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IGBT K40T1202 s maximálním napětím 1200V a proudem 75A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Nastavení