Tranzistory, Strana 15

Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 50V a proudem 1A v pouzdru TO92L od výrobce NTE Electronics

Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 150V a proudem 3,7A v pouzdru SO8 od výrobce Vishay

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 15A v pouzdru DPAK od výrobce Sinopower

Unipolární tranzistor N-MOSFET s max. napětím 650V, proudem 34A a výkonem 40W v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics

Tranzistor N-MOSFET s napětím 500V, proudem 17A a výkonem 190W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics

Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 900V a proudem 3A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics

Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 80A a výkonem 300W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics

Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 80V a proudem 50A v pouzdru TO252 od výrobce Vishay

Tranzistor PNP (Darlington) s napětím 100V, proudem 8A a výkonem 70W v pouzdru TO-220 od výrobce STMicroelectronics

Tranzistor N-MOSFET s napětím 650V, proudem 13A a výkonem 52W v pouzdru TO-220-3 od výrobce Transphorm

2x tranzistor s maximálním napětím 60V a proudem 2x 4,5A v pouzdru SO8 od výrobce Taiwan Semiconductor

Tranzistor IHW20N120R3 (H20R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 40A v pouzdru TO247

Sada 100 kusů různých bipolárních tranzistorů v pouzdru TO92 a TO126

Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 30A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies

Tranzistor IXGR40N60C2D1 s maximálním napětím 600V a proudem 75A v pouzdru TO247 PLUS

Tranzistor IGBT K40T1202 s maximálním napětím 1200V a proudem 75A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon

Tranzistor IKQ100N60T s maximálním napětím 600V a proudem 160A v pouzdru TO247 PLUS

Tranzistor P-MOSFET dvojitý s napětím 30V, proudem 4,9A a výkonem 2W v pouzdru SO8 od výrobce Infineon