Tranzistor IKQ100N60T s maximálním napětím 600V a proudem 160A v pouzdru TO247 PLUS
Tranzistor BU508AW od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 700V a proudem 8A v pouzdru TO247-3
Tranzistor PNP s maximálním napětím 120V a proudem 25A v pouzdru TO3P od výrobce NTE
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 30A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor NPN s maximálním napětím 120V a proudem 25A v pouzdru TO3P od výrobce NTE
Tranzistor BF545B od výrobce NXP s maximálním napětím 30V a proudem 0,015A v pouzdru SOT23
Tranzistor NPN s maximálním napětím 60V, proudem 2A a vysokým ziskem v pouzdru TO92L
Tranzistor P-MOSFET dvojitý s napětím 30V, proudem 4,9A a výkonem 2W v pouzdru SO8 od výrobce Infineon
Tranzistor P-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Nastavení