Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1000V a proudem 60A v pouzdru TO264 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V a proudem 100A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 10A v pouzdru D2PAK
Bipolární tranzistor NPN v pouzdře TO92Napětí kolektor-emitor: 45VProud kolektoru: 0,1A
Tranzistor PNP s maximálním napětím 230V a proudem 1A v pouzdru TO220
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor KF517 od výrobce Tesla s maximálním napětím 30V a proudem 0,6A v pouzdru TO39
Tranzistor IGBT 600V/70A 290W v pouzdře TO247-3 od výrobce ONSEMI.
Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Tranzistor IGBT IKW15N120H3 s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 84A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Sada 300 kusů různých bipolárních tranzistorů v pouzdru TO92
Bipolární tranzistor PNP; UCE 50V; IC 100mA; výkon 0,5W; pouzdro TO92.
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím D-S 30V a proudem 160A v pouzdru DPAK
Tranzistor NPN s maximálním napětím 50V a proudem 150mA v pouzdru TO92 od výrobce Central Semiconductor
Nastavení
