Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 60A v pouzdru TO247.
Tranzistor PNP s maximálním napětím 230V a proudem 1A v pouzdru TO220
Tranzistor 2N5088 od výrobce Central Semiconductor s maximálním napětím 30V a proudem 0,05A v pouzdru TO92
Sada 300 kusů různých bipolárních tranzistorů v pouzdru TO92
Tranzistor TK8P60W,RVQ od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 8A v pouzdru DPAK
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1000V a proudem 60A v pouzdru TO264 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier
Tranzistor KC147 od výrobce Tesla s maximálním napětím 45V a proudem 0,1A v pouzdru T28
Tranzistor STP75NF75 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 75V a proudem 80A v pouzdru TO220
Sada 170 kusů různých bipolárních tranzistorů v pouzdru TO92
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 30V a proudem 5,7A v pouzdru SOT23 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím D-S 30V a proudem 160A v pouzdru DPAK
Tranzistor NPN s maximálním napětím 100V a proudem 8A v pouzdru TO3 od výrobce Tesla
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 20A v pouzdru TO247AC od výrobce Vishay
Nastavení
