Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 50V a proudem 1A v pouzdru TO92L od výrobce NTE Electronics
Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 10A v pouzdru D2PAK
Tranzistor IXGR40N60C2D1 s maximálním napětím 600V a proudem 75A v pouzdru TO247 PLUS
Tranzistor N-MOSFET s napětím 40V, proudem 250A a výkonem 230W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor IRFR5305TRPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 43A v pouzdru D-PAK
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 14A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor KF517 od výrobce Tesla s maximálním napětím 30V a proudem 0,6A v pouzdru TO39
Tranzistor PNP s maximálním napětím 80V a proudem 4A v pouzdru TO126
Tranzistor NPN s maximálním napětím 45V a proudem 2x 0,02A v pouzdru TO99 od výrobce Tesla
Tranzistor KD606 od výrobce Tesla s maximálním napětím 60V a proudem 10A v pouzdru TO3
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 23A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Nastavení
