Tranzistory, Strana 3
Nejprodávanější
Tranzistor NPN s maximálním napětím 45V a proudem 2x 0,02A v pouzdru TO99 od výrobce Tesla
Tranzistor IGBT IKW15N120H3 s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor KF524 od výrobce Tesla s maximálním napětím 20V a proudem 0,03A v pouzdru TO72
Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier
Tranzistor NPN s maximálním napětím 35V a proudem 2x 0,02A v pouzdru TO99 od výrobce Tesla
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 80A a výkonem 300W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 14A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor NPN s maximálním napětím 20V a proudem 0,1A v pouzdru T28 od výrobce Tesla
Tranzistor NPN s maximálním napětím 50V a proudem 150mA v pouzdru TO92 od výrobce Central Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 20,7A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 300V a proudem 70A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 80A v pouzdru Super-247
Tranzistor PNP (Darlington) s napětím 100V, proudem 5A a výkonem 65W v pouzdru TO220AB od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s napětím 500V, proudem 17A a výkonem 190W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IGBT 600V/70A 290W v pouzdře TO247-3 od výrobce ONSEMI.
Tranzistor IXGR40N60C2 bez ochranné diody s maximálním napětím 600V a proudem 75A v pouzdru TO247 PLUS