Tranzistor PNP (Darlington) s napětím 100V, proudem 5A a výkonem 65W v pouzdru TO220AB od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor 2N5088 od výrobce Central Semiconductor s maximálním napětím 30V a proudem 0,05A v pouzdru TO92
Tranzistor NPN s maximálním napětím 210V a proudem 10A v pouzdru TO3 od výrobce Tesla
Tranzistor IXFP220N06T3 od výrobce IXYS s maximálním napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220
Tranzistor s maximálním napětím 60V a proudem 1A v pouzdru SOT89 od výrobce Nexperia
Bipolární tranzistor PNP; UCE 45V; IC 100mA; výkon 0,5W; pouzdro TO92.
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 2A a výkonem 30W v pouzdru TO-220AB od výrobce Hitachi
Bipolární tranzistor PNP; UCE 120V; IC 30A; výkon 200W; pouzdro TO3.
Tranzistor BU208 s maximálním napětím 700V a proudem 5A v pouzdru TO3
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 170A v pouzdru TO263 (D2PAK) od výrobce Texas Instruments
Tranzistor PNP 2SA1106 s maximálním napětím 140V a proudem 10A v pouzdru TO3PN od výrobce Sanken
Tranzistor IRFB3006PBF od výrobce Infineon Technologies s maximálním napětím 60V a proudem 195A v pouzdru TO220
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce Infineon
Tranzistor BD442 s maximálním napětím 80V a proudem 4A v pouzdru TO126 od výrobce CDIL
Tranzistor N-JFET BF256B s maximálním napětím 30V a proudem 0,013A v pouzdru TO92 od výrobce ONSEMI.
Tranzistor darlington NPN s maximálním napětím 30V a proudem 1,5A v pouzdru TO126 od výrobce Toshiba
Tranzistor KD333 od výrobce Tesla s maximálním napětím 40V a proudem 2A v pouzdru TO66
Tranzistor BC159 od výrobce Unitra CEMI s maximálním napětím 25V a proudem 0,1A v pouzdru SOT25 (T29)
Nastavení
