Tranzistor PNP s maximálním napětím 300V a proudem 0,1A v pouzdru TO126
Tranzistor NPN s maximálním napětím 20V a proudem 0,1A v pouzdru T28 od výrobce Tesla
Tranzistor BSS123 v pouzdru SOT23 s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A
Tranzistor PNP s maximálním napětím 60V a proudem 10A v pouzdru TO3 od výrobce Tesla
Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 6A a výkonem 1,28W v pouzdru TSOP6 od výrobce Alpha & Omega Semiconductor
Bipolární tranzistor PNP; UCE 50V; IC 100mA; výkon 0,5W; pouzdro TO92.
Tranzistor STP34NM60N s maximálním napětím 600V a proudem 31,5A v pouzdru TO220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IGBT IHW30N160R2 (H30R1602) s maximálním napětím 1600V a proudem 30A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 13A v pouzdru TO252 od výrobce Vishay
Tranzistor NPN s maximálním napětím 210V a proudem 10A v pouzdru TO3 od výrobce Tesla
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 12,7A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 10A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 42A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor s maximálním napětím 400V a proudem 15A v pouzdru TO3
Nastavení
