Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 23A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Tranzistor KD333 od výrobce Tesla s maximálním napětím 40V a proudem 2A v pouzdru TO66
Bipolární tranzistor PNP; UCE 120V; IC 30A; výkon 200W; pouzdro TO3.
Tranzistor IXFP220N06T3 od výrobce IXYS s maximálním napětím 60V a proudem 160A v pouzdru TO220
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 30V a proudem 12,7A v pouzdru SO8 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor N-MOSFET s napětím Drain-Source do 100V a proudem Drainu do 80A v pouzdru TO220
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 12A v pouzdru TO247 od výrobce Vishay
Tranzistor PNP s maximálním napětím 65V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce Diotec Semiconductor
Tranzistor 2SA1020 s maximálním napětím 50V a proudem 2A v pouzdru TO92L od výrobce Luguang Electronic
Tranzistor NPN s maximálním napětím 210V a proudem 10A v pouzdru TO3 od výrobce Tesla
Bipolární tranzistor NPN; UCE 80V; IC 1A; výkon 2W; pouzdro SOT223.
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 20A v pouzdru TO220 od IXYS
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 20,7A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor KU605 od výrobce Tesla s maximálním napětím 200V a proudem 10A v pouzdru TO3
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 80A v pouzdru Super-247
Nastavení
