Infineon Technologies
Infineon IR2101STRPBF high a low side driver
Kód: 101030004
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Kód: 101040610
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 31A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Kód: 101040609
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 55V a proudem 100A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Kód: 101040587
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 600V a proudem 0,021A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Kód: 101040584
Lineární stabilizátor napětí LDO s pevným výstupním napětím 5V a výstupním proudem až 0,6A v pouzdru TO-263-5 pro povrchovou montáž (SMD)
Kód: 101031103
Paměť SRAM s velikostí paměti 128 x 8 bit v pouzdru VFBGA-48 od výrobce Infineon
Kód: 101031093
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím 100V a proudem 17A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Kód: 101040573
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 17A v pouzdru IPAK od výrobce Infineon Technologies
Kód: 101040568
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 60V a proudem 295A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Kód: 101040567
Kód: 101040564
Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Kód: 101040562
High a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V a proudem 0,42A
Kód: 101031056
High a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V a proudem 0,42A
Kód: 101031053
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 650V a proudem 17,5A v pouzdru TO220FP od výrobce Infineon
Kód: 101040558
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 175A a výkonem 330W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Kód: 101040550
Kód: 101040549
SMPS kontrolér s max. napětím 650V a soft-start / auto-restart módem od výrobce Infineon
Kód: 101031012
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 23A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Kód: 101040541
Tranzistor P-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 21A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Kód: 101040540
Tranzistor IGBT IKW15N120H3 s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Kód: 101040531
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 200V a proudem 30A v pouzdru TO247AC od výrobce Infineon Technologies
Kód: 101040527
Tranzistor IGBT IHW30N160R2 (H30R1602) s maximálním napětím 1600V a proudem 30A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Kód: 101040525
Tranzistor N-MOSFET IPD031N06L3 s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Kód: 101040524
Kód: 101040523
Kód: 101030986
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 40V a proudem 250A v pouzdru D2PAK od výrobce Infineon
Kód: 101040516
Kód: 101040515
Infineon IR2011SPBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 200V
Kód: 101030978
Kód: 101040484
Stránka 2 z 4 -
109 položek celkem