ON Semiconductor
Tranzistor BF245A s maximálním napětím 30V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Zenerova dioda s napětím 100V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Zenerova dioda s napětím 24V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Lineární stabilizátor napětí s pevným výstupním napětím 5V a výstupním proudem až 1A v pouzdru D2PAK pro povrchovou montáž (SMD)
Tranzistor 2x NPN s maximálním napětím 40V a proudem 0,2A v pouzdru SOT363 od výrobce ON Semiconductor
Triakový optočlen pro galvanické oddělení signálů a bezpečné spínání síťového napětí logickou úrovní v SMD pouzdru
Bipolární tranzistor NPN; Darlington; UCE 30V; IC 1,2A; 0,625W; pouzdro TO92.
Zenerova dioda s napětím 200V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Lineární stabilizátor napětí s pevným výstupním napětím 18V a výstupním proudem až 2,2A v pouzdru TO220 s drátovými vývody do DPS (THT)
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1000V a proudem 60A v pouzdru TO264 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 60A v pouzdru TO247.
Tranzistor IGBT s napětím do 1200V a proudem do 25A v pouzdru TO3P.
Dvojitá usměrňovací dioda s max. napětím 200V a proudem až 2x 8A v pouzdře TO220AB od výrobce ONSEMI
Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 8,5A a výkonem 2,5W v pouzdru SO8 od výrobce ON Semiconductor
Stránka 1 z 5 - 127 položek celkem