ON Semiconductor, Strana 3
Zenerova dioda s napětím 14V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Tranzistor N-JFET MMBFJ310LT1G s maximálním napětím 25V a proudem 0,01A v pouzdru SOT23 od výrobce ON Semiconductor
Reflexní opto-závora v kompaktním THT pouzdru s dosahem až 10mm
Operační zesilovač se 4 kanály v pouzdře DIP14 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor KSP2222ABU s maximálním napětím 40V a proudem 0,6A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Integrovaný obvod NCP5181DR2G pro řízení H/2 můstku (push-pull) v pouzdru SO8
LED driver s konstantním proudem 15mA ON Semiconductor NSI45015WT1G
Tranzistor PNP s maximálním napětím 50V a proudem 0,15A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor 2SC1735 s maximálním napětím 100V a proudem 0,5A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Bipolární tranzistor PNP; Darlington; UCE 30V; IC 1A; 0,625W; pouzdro TO92.
Bipolární tranzistor PNP; UCE 120V; IC 30A; výkon 200W; pouzdro TO3.
Stránka 3 z 5 - 127 položek celkem