ONSEMI
Webová stránka značky: ONSEMI
ONSEMI, dříve známá jako ON Semiconductor, je významným hráčem na poli polovodičového průmyslu.
Společnost vznikla v roce 1999 odštěpením od Motoroly a od té doby se rozrostla v globálního lídra v oblasti vysoce výkonných polovodičových komponentů, které se využívají v různých odvětvích, včetně automobilového průmyslu, průmyslových aplikací, telekomunikací, spotřební elektroniky a dalších. ONSEMI se specializuje na různé typy polovodičových produktů, jako jsou analogové a napájecí obvody, logické obvody, diskrétní komponenty, mikrořadiče a senzory. Tyto produkty jsou klíčové pro vývoj a výrobu moderních technologií, od automobilů s pokročilými asistenčními systémy řidiče (ADAS) až po průmyslovou automatizaci a chytré domácnosti. V roce 2021 společnost ON Semiconductor oficiálně změnila svůj název na ONSEMI, aby lépe odrážela její rozšířenou nabídku produktů a zaměření na inovace a růst v oblasti udržitelných technologií.
Návaznost na TESLA Rožnov pod Radhoštěm
Společnost ONSEMI má své kořeny a důležité výrobní kapacity v Rožnově pod Radhoštěm, což je spojeno s bývalou TESLA Rožnov. TESLA Rožnov byla jednou z významných československých firem v oblasti elektroniky a polovodičů, založená v roce 1949. TESLA Rožnov pod Radhoštěm byla jedním z prvních podniků v Československu, který se začal věnovat výrobě polovodičů již v 50. letech minulého století. Tento podnik hrál klíčovou roli v rozvoji elektronického průmyslu v regionu. Po privatizaci a restrukturalizaci po pádu komunistického režimu v Československu, se TESLA v Rožnově dostala do vlastnictví ON Semiconductor. Tento krok umožnil ONSEMI využít odborné znalosti a zkušenosti místních pracovníků a pokračovat v tradici výroby špičkových polovodičových komponentů v regionu. Rožnov pod Radhoštěm se tak stal důležitým výrobním a vývojovým centrem pro ONSEMI, kde se vyrábějí vysoce kvalitní polovodičové součástky, které nacházejí uplatnění na celosvětovém trhu. V současnosti ONSEMI pokračuje v investicích do svých výrobních kapacit v Rožnově, čímž podporuje nejen místní ekonomiku, ale také globální expanzi společnosti v oblasti polovodičových technologií. Tato návaznost na TESLA Rožnov pod Radhoštěm je příkladem úspěšné transformace a integrace historických průmyslových kapacit do moderního, globálně působícího technologického gigantu.
Tranzistor BF245A s maximálním napětím 30V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Kód: 101040016
Tranzistor BS170D26Z od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru TO92
Kód: 101040018
Tranzistor IRFW644B od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 250V a proudem 14A v pouzdru D2PAK
Kód: 101040058
Tranzistor PNP, 80V, 500mA, 625mW, TO92, THT.
Kód: 101040343
Zenerova dioda s napětím 24V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010306
Tranzistor J112 od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 35V a proudem 0,005A v pouzdru TO92
Kód: 101040070
Zenerova dioda s napětím 15V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010298
Tranzistor MMBFJ201 od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 40V a proudem 0,05A v pouzdru SOT23
Kód: 101040073
Tranzistor N-JFET BF256B s maximálním napětím 30V a proudem 0,013A v pouzdru TO92 od výrobce ONSEMI.
Kód: 101040542
Zenerova dioda s napětím 16V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010303
Schottkyho dioda BAT (SMD) s maximálním napětím 30V
Kód: 101010070
Kód: 101040175
Tranzistor BD243CG od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 100V a proudem 6A v pouzdru TO220
Kód: 101040202
Zenerova dioda s napětím 5,1V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010032
Zenerova dioda s napětím 3,3V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010297
Tranzistor BC550CTA od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 45V a proudem 0,1A v pouzdru TO92
Kód: 101040183
Tranzistor IGBT s napětím do 1200V a proudem do 25A v pouzdru TO3P.
Kód: 101040103
Tranzistor MJE13007 od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 400V a proudem 8A v pouzdru TO220
Kód: 101040282
Triakový optočlen pro galvanické oddělení signálů a bezpečné spínání síťového napětí logickou úrovní v SMD pouzdru
Kód: 103050001
Tranzistor PNP s maximálním napětím 50V a proudem 0,15A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Kód: 101040315
Bipolární tranzistor NPN; Darlington; UCE 30V; IC 1,2A; 0,625W; pouzdro TO92.
Kód: 101040420
Tranzistor FGPF4633 od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 330V a proudem 300A v pouzdru TO220F
Kód: 101040118
Kód: 101010313
Operační zesilovač se 4 kanály v pouzdře DIP14 od výrobce ON Semiconductor
Kód: 101030993
Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 60A v pouzdru TO247.
Kód: 101040471
Tranzistor BUZ11 od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 50V a proudem 30A v pouzdru TO220
Kód: 101040026
Tranzistor FDS8958B od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 30V a proudem 6,4 + 4,5AA v pouzdru SO8
Kód: 101040030
Tranzistor RFD3055LE od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 60V a proudem 60A v pouzdru IPAK
Kód: 101040075
Lineární stabilizátor napětí s pevným výstupním napětím 5V a výstupním proudem až 0,1A v pouzdru TO92 s drátovými vývody do DPS (THT)
Kód: 101030139
Výprodej
Lineární stabilizátor napětí s pevným výstupním napětím 18V a výstupním proudem až 2,2A v pouzdru TO220 s drátovými vývody do DPS (THT)
Kód: 101030127
Stránka 1 z 5 -
137 položek celkem