ONSEMI
Webová stránka značky: ONSEMIONSEMI, dříve známá jako ON Semiconductor, je významným hráčem na poli polovodičového průmyslu.
Společnost vznikla v roce 1999 odštěpením od Motoroly a od té doby se rozrostla v globálního lídra v oblasti vysoce výkonných polovodičových komponentů, které se využívají v různých odvětvích, včetně automobilového průmyslu, průmyslových aplikací, telekomunikací, spotřební elektroniky a dalších. ONSEMI se specializuje na různé typy polovodičových produktů, jako jsou analogové a napájecí obvody, logické obvody, diskrétní komponenty, mikrořadiče a senzory. Tyto produkty jsou klíčové pro vývoj a výrobu moderních technologií, od automobilů s pokročilými asistenčními systémy řidiče (ADAS) až po průmyslovou automatizaci a chytré domácnosti. V roce 2021 společnost ON Semiconductor oficiálně změnila svůj název na ONSEMI, aby lépe odrážela její rozšířenou nabídku produktů a zaměření na inovace a růst v oblasti udržitelných technologií.
Návaznost na TESLA Rožnov pod Radhoštěm
Společnost ONSEMI má své kořeny a důležité výrobní kapacity v Rožnově pod Radhoštěm, což je spojeno s bývalou TESLA Rožnov. TESLA Rožnov byla jednou z významných československých firem v oblasti elektroniky a polovodičů, založená v roce 1949. TESLA Rožnov pod Radhoštěm byla jedním z prvních podniků v Československu, který se začal věnovat výrobě polovodičů již v 50. letech minulého století. Tento podnik hrál klíčovou roli v rozvoji elektronického průmyslu v regionu. Po privatizaci a restrukturalizaci po pádu komunistického režimu v Československu, se TESLA v Rožnově dostala do vlastnictví ON Semiconductor. Tento krok umožnil ONSEMI využít odborné znalosti a zkušenosti místních pracovníků a pokračovat v tradici výroby špičkových polovodičových komponentů v regionu. Rožnov pod Radhoštěm se tak stal důležitým výrobním a vývojovým centrem pro ONSEMI, kde se vyrábějí vysoce kvalitní polovodičové součástky, které nacházejí uplatnění na celosvětovém trhu. V současnosti ONSEMI pokračuje v investicích do svých výrobních kapacit v Rožnově, čímž podporuje nejen místní ekonomiku, ale také globální expanzi společnosti v oblasti polovodičových technologií. Tato návaznost na TESLA Rožnov pod Radhoštěm je příkladem úspěšné transformace a integrace historických průmyslových kapacit do moderního, globálně působícího technologického gigantu.
Tranzistor BF245A s maximálním napětím 30V a proudem 0,1A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Zenerova dioda s napětím 100V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Zenerova dioda s napětím 24V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247.
Lineární stabilizátor napětí s pevným výstupním napětím 5V a výstupním proudem až 1A v pouzdru D2PAK pro povrchovou montáž (SMD)
Tranzistor 2x NPN s maximálním napětím 40V a proudem 0,2A v pouzdru SOT363 od výrobce ON Semiconductor
Bipolární tranzistor NPN; Darlington; UCE 30V; IC 1,2A; 0,625W; pouzdro TO92.
Operační dvoukanálový zesilovač od Fairchild Semiconductor v THT pouzdru
Zenerova dioda s napětím 200V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Lineární stabilizátor napětí s pevným výstupním napětím 18V a výstupním proudem až 2,2A v pouzdru TO220 s drátovými vývody do DPS (THT)
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1000V a proudem 60A v pouzdru TO264 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor IGBT s napětím do 600V a proudem do 60A v pouzdru TO247.
Tranzistor IGBT s napětím do 1200V a proudem do 25A v pouzdru TO3P.
Stránka 1 z 5 - 135 položek celkem