ONSEMI
Webová stránka značky: ONSEMI
ONSEMI, dříve známá jako ON Semiconductor, je významným hráčem na poli polovodičového průmyslu.
Společnost vznikla v roce 1999 odštěpením od Motoroly a od té doby se rozrostla v globálního lídra v oblasti vysoce výkonných polovodičových komponentů, které se využívají v různých odvětvích, včetně automobilového průmyslu, průmyslových aplikací, telekomunikací, spotřební elektroniky a dalších. ONSEMI se specializuje na různé typy polovodičových produktů, jako jsou analogové a napájecí obvody, logické obvody, diskrétní komponenty, mikrořadiče a senzory. Tyto produkty jsou klíčové pro vývoj a výrobu moderních technologií, od automobilů s pokročilými asistenčními systémy řidiče (ADAS) až po průmyslovou automatizaci a chytré domácnosti. V roce 2021 společnost ON Semiconductor oficiálně změnila svůj název na ONSEMI, aby lépe odrážela její rozšířenou nabídku produktů a zaměření na inovace a růst v oblasti udržitelných technologií.
Návaznost na TESLA Rožnov pod Radhoštěm
Společnost ONSEMI má své kořeny a důležité výrobní kapacity v Rožnově pod Radhoštěm, což je spojeno s bývalou TESLA Rožnov. TESLA Rožnov byla jednou z významných československých firem v oblasti elektroniky a polovodičů, založená v roce 1949. TESLA Rožnov pod Radhoštěm byla jedním z prvních podniků v Československu, který se začal věnovat výrobě polovodičů již v 50. letech minulého století. Tento podnik hrál klíčovou roli v rozvoji elektronického průmyslu v regionu. Po privatizaci a restrukturalizaci po pádu komunistického režimu v Československu, se TESLA v Rožnově dostala do vlastnictví ON Semiconductor. Tento krok umožnil ONSEMI využít odborné znalosti a zkušenosti místních pracovníků a pokračovat v tradici výroby špičkových polovodičových komponentů v regionu. Rožnov pod Radhoštěm se tak stal důležitým výrobním a vývojovým centrem pro ONSEMI, kde se vyrábějí vysoce kvalitní polovodičové součástky, které nacházejí uplatnění na celosvětovém trhu. V současnosti ONSEMI pokračuje v investicích do svých výrobních kapacit v Rožnově, čímž podporuje nejen místní ekonomiku, ale také globální expanzi společnosti v oblasti polovodičových technologií. Tato návaznost na TESLA Rožnov pod Radhoštěm je příkladem úspěšné transformace a integrace historických průmyslových kapacit do moderního, globálně působícího technologického gigantu.
Zenerova dioda s napětím 27V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010307
Zenerova dioda s napětím 22V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010305
Zenerova dioda s napětím 20V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010304
Zenerova dioda s napětím 16V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010303
Zenerova dioda s napětím 6V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010302
Zenerova dioda s napětím 4,3V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010301
Zenerova dioda s napětím 18V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010300
Zenerova dioda s napětím 14V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010299
Kód: 101040532
Tranzistor N-JFET MMBFJ310LT1G s maximálním napětím 25V a proudem 0,01A v pouzdru SOT23 od výrobce ON Semiconductor
Kód: 101040528
Reflexní opto-závora v kompaktním THT pouzdru s dosahem až 10mm
Kód: 113030011
Operační zesilovač se 4 kanály v pouzdře DIP14 od výrobce ON Semiconductor
Kód: 101030993
Tranzistor KSP2222ABU s maximálním napětím 40V a proudem 0,6A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Kód: 101040502
Tranzistor s maximálním napětím 20V a proudem 2x 6,5A v pouzdru SO8 od výrobce ONSEMI.
Kód: 101040501
Integrovaný obvod NCP5181DR2G pro řízení H/2 můstku (push-pull) v pouzdru SO8
Kód: 101030927
LED driver s konstantním proudem 15mA ON Semiconductor NSI45015WT1G
Kód: 101030912
Optočlen; tranzistorový; 1 kanál; Uizol: 7,5kV; Uce: 30V; DIP6; THT.
Kód: 103050011
Kód: 101050002
Tranzistor PNP s maximálním napětím 50V a proudem 0,15A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Kód: 101040315
Tranzistor KSP2222ATA od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 40V a proudem 0,6A v pouzdru TO92
Kód: 101040267
Kód: 101040019
Tranzistor BC337-025G od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 45V a proudem 0,8A v pouzdru TO92
Kód: 101040175
Tranzistor 2SC1735 s maximálním napětím 100V a proudem 0,5A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor
Kód: 101040142
Tranzistor 2N4401BU od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 60V a proudem 0,6A v pouzdru TO92
Kód: 101040139
Tranzistor SS8550DBU od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 40V a proudem 1,5A v pouzdru TO92
Kód: 101040412
Tranzistor SS8050CBU od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 40V a proudem 1,5A v pouzdru TO92
Kód: 101040296
Bipolární tranzistor PNP; Darlington; UCE 30V; IC 1A; 0,625W; pouzdro TO92.
Kód: 101040419
Tranzistor FDA18N50 od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 500V a proudem 19A v pouzdru TO3PN
Kód: 101040029
Tranzistor MJ15023G od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 350V a proudem 16A v pouzdru TO3
Kód: 101040398
Tranzistor MJ15022G od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 200V a proudem 16A v pouzdru TO3
Kód: 101040280
Stránka 3 z 5 -
135 položek celkem