ONSEMI, Strana 3

Webová stránka značky: ONSEMI
ONSEMI, dříve známá jako ON Semiconductor, je významným hráčem na poli polovodičového průmyslu.

Společnost vznikla v roce 1999 odštěpením od Motoroly a od té doby se rozrostla v globálního lídra v oblasti vysoce výkonných polovodičových komponentů, které se využívají v různých odvětvích, včetně automobilového průmyslu, průmyslových aplikací, telekomunikací, spotřební elektroniky a dalších. ONSEMI se specializuje na různé typy polovodičových produktů, jako jsou analogové a napájecí obvody, logické obvody, diskrétní komponenty, mikrořadiče a senzory. Tyto produkty jsou klíčové pro vývoj a výrobu moderních technologií, od automobilů s pokročilými asistenčními systémy řidiče (ADAS) až po průmyslovou automatizaci a chytré domácnosti. V roce 2021 společnost ON Semiconductor oficiálně změnila svůj název na ONSEMI, aby lépe odrážela její rozšířenou nabídku produktů a zaměření na inovace a růst v oblasti udržitelných technologií.

Návaznost na TESLA Rožnov pod Radhoštěm

Společnost ONSEMI má své kořeny a důležité výrobní kapacity v Rožnově pod Radhoštěm, což je spojeno s bývalou TESLA Rožnov. TESLA Rožnov byla jednou z významných československých firem v oblasti elektroniky a polovodičů, založená v roce 1949. TESLA Rožnov pod Radhoštěm byla jedním z prvních podniků v Československu, který se začal věnovat výrobě polovodičů již v 50. letech minulého století. Tento podnik hrál klíčovou roli v rozvoji elektronického průmyslu v regionu. Po privatizaci a restrukturalizaci po pádu komunistického režimu v Československu, se TESLA v Rožnově dostala do vlastnictví ON Semiconductor. Tento krok umožnil ONSEMI využít odborné znalosti a zkušenosti místních pracovníků a pokračovat v tradici výroby špičkových polovodičových komponentů v regionu. Rožnov pod Radhoštěm se tak stal důležitým výrobním a vývojovým centrem pro ONSEMI, kde se vyrábějí vysoce kvalitní polovodičové součástky, které nacházejí uplatnění na celosvětovém trhu. V současnosti ONSEMI pokračuje v investicích do svých výrobních kapacit v Rožnově, čímž podporuje nejen místní ekonomiku, ale také globální expanzi společnosti v oblasti polovodičových technologií. Tato návaznost na TESLA Rožnov pod Radhoštěm je příkladem úspěšné transformace a integrace historických průmyslových kapacit do moderního, globálně působícího technologického gigantu.

Cena

0449
10449
141 položek celkem
SO8
Tranzistor FDS8884 SO8
Skladem (615 ks)
13,80 Kč / ks

Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 8,5A a výkonem 2,5W v pouzdru SO8 od výrobce ON Semiconductor

Kód: 101040544
TO92
Tranzistor BF256B TO92
Skladem (14 ks)
25 Kč / ks

Tranzistor N-JFET BF256B s maximálním napětím 30V a proudem 0,013A v pouzdru TO92 od výrobce ONSEMI.

Kód: 101040542
017AA
12 Kč / ks

Zenerova dioda s napětím 180V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA

Kód: 101010321
1N5383BG zenerova dioda 150V
12 Kč / ks
Zenerova dioda s napětím 150V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010320
017AA
12 Kč / ks

Zenerova dioda s napětím 120V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA

Kód: 101010319
017AA
12 Kč / ks

Zenerova dioda s napětím 100V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA

Kód: 101010318
1N5375BG zenerova dioda 82V
12 Kč / ks
Zenerova dioda s napětím 82V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010317
1N5373BG zenerova dioda 68V
12 Kč / ks
Zenerova dioda s napětím 68V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010315
017AA
12 Kč / ks

Zenerova dioda s napětím 62V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA

Kód: 101010314
017AA
12 Kč / ks

Zenerova dioda s napětím 56V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA

Kód: 101010313
1N5368BG zenerova dioda 47V
12 Kč / ks
Zenerova dioda s napětím 47V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010312
1N5366BG zenerova dioda 39V
12 Kč / ks
Zenerova dioda s napětím 39V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010311
017AA
12 Kč / ks

Zenerova dioda s napětím 36V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA

Kód: 101010310
1N5364BG zenerova dioda 33V
12 Kč / ks
Zenerova dioda s napětím 33V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010309
017AA
12 Kč / ks

Zenerova dioda s napětím 28V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA

Kód: 101010308
1N5361BG zenerova dioda 27V
12 Kč / ks
Zenerova dioda s napětím 27V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010307
017AA
12 Kč / ks

Zenerova dioda s napětím 22V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA

Kód: 101010305
017AA
12 Kč / ks

Zenerova dioda s napětím 20V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA

Kód: 101010304
1N5353BG zenerova dioda 16V
12 Kč / ks
Zenerova dioda s napětím 16V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010303
017AA
12 Kč / ks

Zenerova dioda s napětím 6V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA

Kód: 101010302
1N5336BG zenerova dioda 4,3V
12 Kč / ks
Zenerova dioda s napětím 4,3V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA
Kód: 101010301
017AA
12 Kč / ks

Zenerova dioda s napětím 18V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA

Kód: 101010300
017AA
12 Kč / ks

Zenerova dioda s napětím 14V a max. výkonem 5W v pouzdře 017AA

Kód: 101010299
TO247
149 Kč / ks

Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247.

Kód: 101040532
SOT23 03
9,90 Kč / ks

Tranzistor N-JFET MMBFJ310LT1G s maximálním napětím 25V a proudem 0,01A v pouzdru SOT23 od výrobce ON Semiconductor

Kód: 101040528
RHRP30120 usměrňovací dioda 1200V/30A
129 Kč / ks

Rychlá usměrňovací dioda s maximálním napětím 1200V a proudem 30A

Kód: 101010259
TO92
Tranzistor KSP2222ABU TO92
Skladem (1550 ks)
3,50 Kč / ks

Tranzistor KSP2222ABU s maximálním napětím 40V a proudem 0,6A v pouzdru TO92 od výrobce ON Semiconductor

Kód: 101040502
Tranzistor FDS9926A SO8
Tranzistor FDS9926A SO8
Skladem (691 ks)
15 Kč / ks

Tranzistor s maximálním napětím 20V a proudem 2x 6,5A v pouzdru SO8 od výrobce ONSEMI.

Kód: 101040501
DIP6
Optotriak MOC3062M
Skladem (1021 ks)
25 Kč / ks

Triakový optočlen pro galvanické oddělení signálů a bezpečné spínání síťového napětí logickou úrovní v THT pouzdru

Kód: 103050026
SO8
IO NCP5181DR2G
Skladem (1825 ks)
49 Kč / ks

Integrovaný obvod NCP5181DR2G pro řízení H/2 můstku (push-pull) v pouzdru SO8

Kód: 101030927
Nahoru
Další produkty

Stránka 3 z 5 - 141 položek celkem