Tranzistorové pole ULN2803 s maximálním napětím 50V a proudem 0,5A
Tranzistor PNP s maximálním napětím 230V a proudem 1A v pouzdru TO220
Analogový optočlen TLP627 pro galvanické oddělení signálu v THT pouzdru
Tranzistor N-MOSFET 2SK3567 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 3,5A v pouzdru TO220FP
Analogový optočlen TLP521-1 pro galvanické oddělení signálu v THT pouzdru
Tranzistor darlington NPN s maximálním napětím 30V a proudem 1,5A v pouzdru TO126 od výrobce Toshiba
Tranzistor P-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Paměť SRAM s velikostí paměti 131072 x 8 bit v pouzdru DIP32 od výrobce Toshiba
Tranzistor N-MOSFET s napětím 600V, proudem 20A a výkonem 150W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Integrovaný H-můstek pro řízení motorů v pouzdře HSOP8
Analogový optočlen TLP620 pro galvanické oddělení signálu v THT pouzdru
Tranzistor TK8P60W,RVQ od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 8A v pouzdru DPAK
Analogový tranzistorový optočlen pro galvanické oddělení signálů v SMD pouzdru
Paměť SRAM; 256 x 8bit CMOS SRAM; DIP40; THT.
Stránka 1 z 1 - 25 položek celkem
Nastavení
