Integrovaný obvod; driver pro H/2 můstek; high- a low-side N-MOSFET tranzistor; max. napětí 600V; pouzdro SO8; SMD montáž na DPS (povrchová montáž). Driver pro řízení polomůstku s N-MOSFETY.
Používáme cookies, abychom Vám umožnili pohodlné prohlížení webu a díky analýze provozu webu neustále zlepšovali jeho funkce, výkon a použitelnost. Více informací zde.