Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 32A v pouzdru TO220 od Infineon
Detailní informace
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 1200V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 32A; max. ztrátový výkon 200W; pouzdro TO220; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Nastavení